Startseite / Produkte / Hochspannung / HV Active components / Festkörperschalter
Hochspannungs-Solid-State Schalter
Hochspannungs- und Impulsstromanwendungen bergen naturgemäß immer ein gewisses Risiko von Funkenbildung und Überschlägen, insbesondere wenn sich die Umgebungs-, Betriebs- oder Lastbedingungen unerwartet ändern. Daher sollte die Spitzenstromfähigkeit eines Halbleiterschalters immer so hoch wie möglich sein, zumindest aber höher als der mögliche Kurzschlussstrom der Anwendung. Bei der Wahl der Nennspannung empfehlen wir eine Sicherheitsmarge von mindestens 5 % für MOSFET-Schalter und mindestens 20 % für alle bipolaren Schalter (IGBT, MCT, SCR), um das Risiko einer Beschädigung durch unerwartete Spannungsschwankungen oder unerwartete Rücklaufspannung zu minimieren. Die Langzeitzuverlässigkeit bzw. die Mean Time Between Failures (MTBF) eines Hochspannungs-Solid-State-Schalters ist immer eine Funktion der Betriebstemperatur. Daher empfehlen wir dringend, die Schalter möglichst nur bei moderaten Temperaturen zu betreiben. Dies wird in erster Linie durch die Wahl eines ausreichenden Einschaltwiderstands, der Strombelastbarkeit, der natürlichen Kapazität und der Koppelkapazität erreicht.. Weitere Informationen entnehmen Sie bitte den Datenblättern und den folgenden Produktübersichten.
SCR-Thyristor-Schalter:
• Hohe Spitzenstromfähigkeit
• Sehr überlastungstolerant
• Extremely high di/dt
• Easy firing by a simple TTL trigger pulse
(2-5 V)
Allzweck-MOSFET:
• Sehr EMC-tolerant
• Absolut geräuschfrei im ein- und ausgeschalteten Zustand
• Geringe Steuerleistung bei hoher Frequenz
MOSFET mit hohem di/dt:
• Einschaltzeit durch TTL-Signal steuerbar
• Äußerst niedrige Impedanz
• Ausgezeichnete dv/dt-Immunität gegen HV-Transienten
Hochspannungsimpulsgeräte:
• HV-Schalter in Impulsgeber-Konfiguration
• Keine externen Komponenten erforderlich
• Alle Impulsgeber sind für die Systemintegration optimiert
• Laborpulsatoren sind immer CE-zertifiziert
Schnell regenerierende HV-Diodenbaugruppen:
• Freilaufende Dioden für HTS-Festkörperschalter
• Weiche Erholungsmerkmale
• Hohe Spitzenstromfähigkeit
• Sehr geringe Induktivität, kurze Erholungszeit
Schalter | Pünktlichkeit Beschreibung | Maximale Spannung | Maximaler Strom | Einschaltzeit | Kategorie |
SCR/Thyristor | Strom Abhängig | 4 - 150 kV | 1 - 24 kA | > 35 us | Ein |
Standard MOSFET | Festgelegt | 2 - 200 kV | 15 - 1600 A | 100 - 300 ns | B1 |
MOSFET mit hohem di/dt | Festgelegt | 0,5 - 40 kV | 70 - 1600 A | 150 ns | B2 |
Ultraschneller MOSFET | Festgelegt | 3 - 12 kV | 60 - 200 A | 120 - 200 ns | B3 |
Niedrige On-Res. MOSFET | Festgelegt | 3 - 24 kV | 60 - 1040 A | 150 - 250 ns | B4 |
Standard MOSFET | Variabel | 0,5 - 36 kV | 12 - 640 A | > 50 ns | C1 |
MOSFET mit hohem di/dt | Variabel | 3 - 36 kV | 200 - 3200 A | > 300 ns | C2 |
Nieder-C-MOSFET | Variabel | 3 - 140 kV | 30 - 4000 A | > 60 ns | C3 |
Niedrige On-Res. Trench-FET | Variabel | 0,5 - 160 kV | 125 - 6000 A | > 120 ns | C4 |
Wechselspannung MOSFET | Variabel | 1,2 - 140 kV | 12 - 400 A | > 50 ns | C5 |
Mehrzweck-IGBT | Variabel | 3 - 36 kV | 800 - 9600 A | > 0,2 us | C6 |
MCT-Thyristor | Variabel | 4 - 18 kV | 3000 A | > 1 us | C7 |
Push-Pull MOSFET | Variabel | 2 x 1,2 - 140 kV | 2 x 12 - 300 A | > 50 ns | C8 |
AC Push-Pull MOSFET | Variabel | 2 x 3 - 140 kV | 2 x 12 - 130 A | > 70 ns | C9 |
HV-Impulsgeber Einheiten | Variabel | 3 - 12 kV | 12 - 80 A | > 4 ns | D |
HV-Dioden Baugruppen | E | ||||
Direkte Flüssigkeitskühlung | F |