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HV-Schalter mit variabler Einschaltdauer, hohes di/dt, MOSFET
Vielseitiger HV-Schalter mit echtem Relaischarakter. Ideal für "harte" Schaltanwendungen bei niedrigen und mittleren Frequenzen. Robust gegenüber Überlast und Spannungsumkehr. Ausgezeichnete dv/dt-Immunität gegen HV-Transienten. Äußerst niedrige Impedanz
Ausstattung:
- Einschaltzeit durch TTL-Signal steuerbar
- Einschalt-Anstiegszeit 5 ~ 15 ns
- Ausschalt-Anstiegszeit 20 ~ 50 ns
Produkte
Optionen
Produkte
| Schalter Modell | Max. Spannung (kV) | Spitzenstrom (A) | Auf Widerstand. (Ω) | Auf- Zeit (ns) | Gehäuse Abmessungen (mm3 ) | Datenblatt |
| HTS 31-80 | 3 | 800 | 0.25 | 300 … ∞ | 200 x 76 x 26 |  |
| HTS 31-160 | 3 | 1600 | 0.125 | 350 … ∞ | 225 x 175 x 40 | |
| HTS 31-240 | 3 | 2400 | 0.083 | 350 … ∞ | 250 x 225 x 42 | |
| HTS 31-320 | 3 | 3200 | 0.063 | 400 … ∞ | 372 x 200 x 45 | |
| HTS 61-160 | 6 | 1600 | 0.25 | 400 … ∞ | 372 x 200 x 45 | |
| HTS 61-120 | 6 | 1200 | 0.33 | 350 … ∞ | 250 x 225 x 42 | |
| HTS 61-80 | 6 | 800 | 0.5 | 350 … ∞ | 225 x 175 x 40 | |
| HTS 61-40 | 6 | 400 | 1 | 300 … ∞ | 200 x 76 x 26 | |
| HTS 91-80 | 9 | 800 | 0.75 | 350 … ∞ | 250 x 225 x 42 | |
| HTS 101-20 | 10 | 200 | 4 | 300 … ∞ | 153 x 102 x 25 | |
| HTS 121-40 | 12 | 400 | 2 | 350 … ∞ | 225 x 175 x 40 | |
| HTS 121-80 | 12 | 800 | 1 | 400 … ∞ | 372 x 200 x 45 | |
| HTS 181-40 | 18 | 400 | 3 | 350 … ∞ | 250 x 225 x 42 | |
| HTS 181-200 | 18 | 2000 | 0.35 | 400 … ∞ | 372 x 250 x 45 | |
| HTS 241-40 | 24 | 400 | 4 | 400 … ∞ | 372 x 200 x 45 | |
| HTS 361-100 | 36 | 1000 | 1.4 | 400 … ∞ | 372 x 250 x 45 |
Optionen
| Optionen | Beschreibung |
| B-CON | Konfiguration für Einsteiger: Der Standardschalter ist mit verschiedenen Optionen ausgestattet, um die ersten Experimente für Benutzer zu vereinfachen, die noch keine Erfahrung mit Hochspannungs- und Hochfrequenzschaltungen haben. Die Einsteigerkonfiguration umfasst die Optionen FH und PT-HV für eine einfache Verdrahtung und Befestigung ohne Leiterplatten |
| HFB | Hochfrequenz-Burst: Verbesserte Burst-Fähigkeit des Treibers durch externe Pufferkondensatoren. Empfohlen, wenn mehr als 10 Pulse mit weniger als 10 μs Abstand erzeugt werden. |
| HFS | Hochfrequenzschaltung: Externe Versorgung mit Hilfstreiberspannung (50-350 VDC je nach Typ). Erforderlich, wenn die angegebene "Maximale Betriebsfrequenz" überschritten werden soll. (2) |
| LP | Tiefpass: Tiefpassfilter am Steuereingang. Die Ausbreitungsverzögerungszeit wird um ~50 ns erhöht. Jitter + 500 ps. Verbesserte Rauschimmunität und weniger kritische Verdrahtung bei Hochgeschwindigkeitsanwendungen. (3) |
| DT | Verzögertes Auslösen: "Total Turn-On Time" unwiderruflich auf >1 μs erhöht. Erforderlich, wenn nationale oder internationale Ausfuhrbeschränkungen gelten ("Dual-Use-Produkte"). (2) |
| S-ON | Soft Turn-On: “Turn-On Rise Time” increased by ~20%. Simplified EMC design and less critical wiring if the shortest possible edge steepness is not required. (3) |
| S-OFF | Sanfte Abschaltung: Die "Abschaltanstiegszeit" wurde um ~20% erhöht. Vereinfachtes EMV-Design und weniger kritische Verdrahtung, wenn die kürzestmögliche Flankensteilheit nicht erforderlich ist. (3) |
| S-TT | Weiche Übergangszeit: "Turn-On Rise Time" & "Turn-Off Rise Time" um ~20% erhöht. Vereinfachtes EMV-Design und weniger kritische Verdrahtung, wenn die kürzestmögliche Flankensteilheit nicht erforderlich ist. (3) |
| TT-C | Maßgeschneiderte Übergangszeit: Maßgeschneiderte Anstiegs- und Abfallzeiten zur Erfüllung individueller Designanforderungen. (2) |
| MIN-ON | Mindest-Einschaltdauer: Individuell erhöhte Mindest-Einschaltdauer, um eine Mindest-Einschaltdauer unabhängig vom Steuersignal zu gewährleisten. Für sicherheitsrelevante Schaltungen. |
| MIN-OFF | Mindestausschaltzeit: Individuell erhöhte Mindestausschaltzeit zur Gewährleistung einer Mindestausschaltdauer unabhängig vom Steuersignal. Für sicherheitsrelevante Schaltungen. |
| ST | Stufenabgriff: Steckverbinder an den einzelnen Stufen des Stacks, um einzelne Leistungshalbleiter zu nutzen. Um schnelle Anstiegszeiten auch bei sehr niedrigen Betriebsspannungen zu erreichen (<0.01xVo). |
| LNC | Niedrige natürliche Kapazität: CN um ca. 30% reduziert. Zur Minimierung der kapazitiven Leistungsverluste bei Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz und hoher Schaltspannung (Pc= V2 x C x f). |
| LL | Niedriger Leckstrom: Der Ruhestrom ist auf weniger als 10 % des angegebenen Wertes reduziert. Nicht verfügbar in Verbindung mit den Kühlrippenoptionen und für Schalter der UF-Serie. |
| LN | Rauscharm: Interner Leistungstreiber, der so modifiziert ist, dass er für eine bestimmte Zeit kein Rauschen erzeugt. Nur in Verbindung mit empfindlichen Detektorverstärkern (z. B. SEV/MCP-Anwendungen) relevant. (2) |
| ISO-25 | 25 kV Isolierung: Die Isolationsspannung wurde auf 25 kVDC erhöht. Die Gehäuseabmessungen können sich bei einigen Modellen ändern. |
| ISO-40 | 40 kV Isolierung: Die Isolationsspannung wurde auf 40 kVDC erhöht. Die Gehäuseabmessungen können sich bei einigen Modellen ändern. Nur in Verbindung mit der Option PT-HV. |
| ISO-80 | 80 kV Isolierung: Die Isolationsspannung wurde auf 80 kVDC erhöht. Die Gehäuseabmessungen können sich bei einigen Modellen ändern. Nur in Verbindung mit der Option PT-HV. |
| ISO-120 | 120 kV Isolierung: Die Isolationsspannung wurde auf 120 kVDC erhöht. Die Gehäuseabmessungen können sich bei einigen Modellen ändern. Nur in Verbindung mit der Option PT-HV. |
| PL | Passive Lock: Spezielle Sperrfunktion für zwei einzelne Schalter in schnellen Push-Pull-Schaltungen. Der Eingang des passiven Schalters wird durch den aktivierten Schalter gesperrt, um ein Einschalten durch Rauschen zu vermeiden. |
| I-PC | Integrierte Bauteilkomponenten: Integration von Kleinteilkomponenten nach Kundenspezifikation (z.B. Pufferkondensatoren |
| I-FWD | Integrierte Freilaufdiode: Eingebaute parallele Diode mit kurzer Erholungszeit. Nur in Verbindung mit induktiver Last. |
| I-FWDN | Integriertes freilaufendes Diodennetzwerk: Eingebaute parallele Diode plus serielle Sperrdiode mit kurzer Erholungszeit. Nur in Verbindung mit induktiver Last. |
| SPT-C | Abgeschirmtes Pigtail für Steueranschluss: Kabel (l=300mm |
| PT-C | Pigtail für Steueranschluss: Flexible Leitungen (l=75 mm) mit PCB-Stecker. Diese Option ist nur für Schaltmodule mit Stiften relevant. Empfohlen für Module mit den Optionen CF & GCF. |
| PIN-C | Stifte für den Steueranschluss: Vergoldete Stifte für Leiterplattendesigns (spezielle Buchsen verfügbar). Diese Option ist nur für Schaltmodule relevant, die standardmäßig über Pigtails verfügen. |
| PT-HV | Pigtails für HV-Anschluss: Flexible Leitungen mit Kabelschuhen. Für erhöhte Kriechfähigkeit. PT-HV ist Standard für alle Typen mit >25 kV Schaltspannung. Nicht empfohlen in extrem schnellen Stromkreisen. |
| ST-HV | Schraubklemmen für HV-Anschluss: Gewindeeinsätze an der Unterseite des Moduls (wenn nicht Standard). Für PCB-Design. Betrieb über 25 kV erfordert Flüssigisolierung (Galden®/Öl) oder Verguss. |
| SEP-C | Separate Steuereinheit: Steuereinheit mit LED-Anzeigen in einem separaten Gehäuse (Abmessung 79x38x17 mm). Verbindungskabel (<1m) with plug. Control unit with soldering pins or pigtails. |
| FOI-I | Glasfasereingang / Sperre: Zusätzlicher optischer Sperreingang zum Ausschalten des Schalters durch Verwendung des Sperreingangs mit einem faseroptischen Signal (nur in Verbindung mit Option SEP-C) (2) |
| FOI-C | Glasfasereingang / Steuerung: Zusätzlicher optischer Steuereingang zur Ansteuerung des Schalters mit einem faseroptischen Signal (nur in Verbindung mit Option SEP-C) (2) |
| FOO-F | Faseroptischer Ausgang / Störung: Zusätzlicher optischer Ausgang zum Auslesen des Fehlerzustandes mit einem faseroptischen Signal (nur in Verbindung mit Option SEP-C) (2) |
| UL94 | Flammhemmendes Gießharz: Gießharz gemäß UL-94-VO. Mindestbestellmenge erforderlich. (2) |
| FH | Flanschgehäuse: Kunststoff-Flanschgehäuse zur isolierten Befestigung an leitenden Oberflächen. Ideal, wenn der Schalter nicht für Leiterplatten vorgesehen ist. Die Option PT-HV wird empfohlen. |
| TH | Rohrförmiges Gehäuse: Rohrförmiges anstelle eines rechteckigen Gehäuses. Anpassung an spezifische Umgebungsbedingungen oder bei schwierigen Einbausituationen. (2) |
| FC | Flaches Gehäuse: Höhe von Standard-Kunststoffgehäusen auf 19 mm oder weniger reduziert. Nicht in Kombination mit Kühloptionen CF |
| ITC | Erhöhte Wärmeleitfähigkeit: Spezielles Gussverfahren zur Erhöhung der Wärmeleitfähigkeit des Moduls. Pd(max) wird um ca. 20-30% erhöht. (2) |
| CF | Kupfer-Kühlrippen d = 0,5 mm: Lamellenhöhe 35 mm. Vernickelt. Für Luftkühlung mit erzwungener oder natürlicher Konvektion sowie für Flüssigkeitskühlung mit nichtleitenden Kühlmitteln. |
| CF-1 | Kupfer-Kühlrippen d = 1 mm: Lamellendicke 1,0 mm anstelle von 0,5 mm. Die max. Verlustleistung Pd(max) wird um ~80 % erhöht. Für Luft- oder Flüssigkeitskühlung (z. B. Galden® oder Öl). |
| CF-X2 | "Kupfer-Kühlrippen "XL"": Um den Faktor 2 vergrößerte Lamellenfläche. Empfohlen für natürliche Luftkonvektion. Keine wesentliche Verbesserung der Kühlleistung in Verbindung mit forcierter Luft- oder Flüssigkeitskühlung." |
| CF-X3 | "Kupfer-Kühlrippen "XXL"": Um den Faktor 3 vergrößerte Lamellenfläche. Empfohlen für natürliche Luftkonvektion. Keine wesentliche Verbesserung der Kühlleistung in Verbindung mit forcierter Luft- oder Flüssigkeitskühlung." |
| CF-CS | Kühlrippen aus Kupfer mit kundenspezifischer Form: Individuelle Form zur Erfüllung spezifischer OEM-Anforderungen. (2) Kann mit den Optionen CF-1 kombiniert werden |
| CF-LC | Kühlrippen aus Kupfer für die Flüssigkeitskühlung: Doppelte Lamellen |
| CF-D | Doppelte Kühlrippen aus Kupfer: Ca. 100% mehr Kühlleistung |
| CF-S | Kühlrippen aus Kupfer: Halbleiter auf Lamellen gelötet. Ca. 30% bis 100% mehr Kühlleistung (je nach Typ). Kombinierbar mit den Optionen CF-D |
| CF-GRA | Nicht isolierte Kühllamellen aus Graphit: Sehr geringes Gewicht im Vergleich zu Kupfer bei ähnlicher Wärmeübertragung |
| CF-CER | Isolierte Kühlrippen aus Keramik: Wärmeübertragungseigenschaften ähnlich wie bei Aluminiumoxid. Zwangskonvektion empfohlen durch 2 mm Abstand zwischen den Lamellen. Höhe 35 mm. |
| CCS | Keramische Kühlfläche: Die Oberseite des Schaltmoduls besteht aus Keramik. Wärmeübertragungseigenschaften ähnlich wie Tonerde. Max. 20 kVDC Isolierung. Erzwungene Konvektion empfohlen. |
| CCF | Keramik-Kühlflansch: Die Unterseite des Schaltmoduls besteht aus einer plan geschliffenen Keramikplatte. Integrierter Metallrahmen für gleichmäßigen und sicheren Anpressdruck. Max. 40 kVDC Isolierung. |
| C-DR | Kühlung für den Fahrer: Zusätzliche Kühlung für den Treiber und die Steuerelektronik. Empfohlen in Kombination mit der Option HFS bei höheren Schaltfrequenzen. (2) |
| GCF | Geerdeter Kühlungsflansch: Vernickelter Kupferflansch für mittlere Leistungen. Max. Isolationsspannung 40kV. Erhöhte Kopplungskapazität CC. |
| GCF-X2 | Geerdeter Kühlungsflansch |
| ILC | Indirekte Flüssigkeitskühlung: Flüssigkeitskühlung für alle Arten von leitfähigen Kühlmitteln einschließlich Wasser. Interner Wärmetauscher aus Keramik. Für mittlere Verlustleistung. |
| DLC | Direkte Flüssigkeitskühlung: Interne Kühlkanäle um die Leistungshalbleiter herum. Die effizienteste Kühlung für Hochfrequenzanwendungen. Nur nicht-leitende Kühlmittel. |
| HI-REL | Hochzuverlässige / MIL-Versionen: Auf Anfrage erhältlich. (2) |
| [1] | Neuer Optionscode: Datenblätter können von diesem Kodierungssystem abweichen (insbesondere ältere) und geben nicht alle möglichen Optionen gemäß obiger Tabelle an. |
| [2] | Für detaillierte Informationen wenden Sie sich bitte an das Werk. |
| [3] | Diese Optionen sind EMV-relevant und werden für industrielle Stromanwendungen empfohlen |