HV Diode Assemblies - HVP: High Voltage Products GmbH

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Schnell erholende Hochspannungsdioden-Baugruppen

MOSFET-Schalter und Freilaufdioden: Im Allgemeinen ist die Vorwärtsspannung einer intrinsischen MOSFET-Schaltdiode niedriger als die Vorwärtsspannung einer externen schnellen Freilaufdiode. Um die Sperrströme sicher von den intrinsischen Dioden fernzuhalten, ist es notwendig, eine so genannte "Sperrdiode" in Reihe zu einem MOSFET-Schalter zu schalten. Daher empfehlen wir diese zusätzliche Sperrdiode immer dann zu verwenden, wenn MOSFET-Schalter durch schnelle Freilaufdioden geschützt werden sollen. Die Sperrdiode muss mindestens die Spitzenstrombelastbarkeit des Schalters haben. Die Sperrspannung ist unkritisch und muss nur höher sein als die Durchlassspannungsdifferenz zwischen Eigenstromdiode und Freilaufdiode. Die Differenz beträgt in der Regel einige zehn Volt, im Extremfall einige hundert Volt (große MOSFET-Stacks und extrem hohe Spitzenströme). Ausreichende Sperrdioden sind als Einzelteil oder als integrierter Bestandteil einer BEHLKE FDA-Diode erhältlich (integrierte Sperrdiode, Option IBD und IBD-C).

Ausstattung:

  • für HTS-Schalter in Kombination mit induktiver Last
  • Weiche Erholungsmerkmale
  • Hohe Spitzenstromfähigkeit
  • Sehr geringe Induktivität, kurze Erholungszeit