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HV-Schalter, variable Einschaltdauer, Gegentakt, MOSFET

Schnelle Gegentaktschalter (Halbbrücken) sind sehr empfindlich für Rückströme aus induktiver Last oder aus erhöhter Leitungsinduktivität. Rückwärtsströme können die intrinsischen (parasitären) MOSFET-Dioden auf undefinierte Weise einschalten. Dies kann zu einem Kurzschluss innerhalb der Brückenschaltpfade mit der weiteren Folge eines katastrophalen Ausfalls führen. Bitte stellen Sie immer sicher, dass kein Strom in den Ausgang des Schalters zurückfließt. Dies sollte durch Oszilloskopmessungen bei max. 10% der tatsächlichen Betriebsspannung überprüft werden. Bitte schließen Sie immer ausreichend Pufferkondensatoren (vorzugsweise Keramik) direkt an die HV-Eingänge an und verwenden Sie bei langer Ausgangsverdrahtung ausreichende Vorwiderstände zur Dämpfung. Induktive Last an MOSFET-Schaltern erfordert immer ein schnelles Freilaufdioden-Netzwerk (serielle Sperrdiode + parallele Freilaufdiode). Dieses Schutzdiodennetzwerk kann extern mittels Einzeldioden der FDA-Serie installiert werden. Es kann auch in das Schaltmodul als Option I-FWDN integriert werden. Bitte lesen Sie die allgemeinen Hinweise sorgfältig durch.

Ausstattung:

HV-Push-Pull-Schalter in Halbbrückenschaltung
Zwei Schaltwege für schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten
Sicherer Betrieb durch passive Schaltwegverriegelung

Anwendungshinweis

Produkte

Optionen

Produkte

Kompakte Serie. Geringe Eigeninduktivität und sehr kurze Übergangszeiten. Gute Transienten-Immunität.


Schalter Modell	Max. Spannung (kV)	Spitzenstrom (A)	Spitzenleistung (MW)	Auf- Zeit (ns)	Gehäuse Abmessungen (mm3 )	Datenblatt
HTS 11-07-HB-C	2 x 1.2	2 x 70	2 x 1.2	50…∞	79 x 38 x 17
HTS 21-07-HB-C	2 x 2.4	2 x 70	2 x 2.4	50…∞	125 x 38 x 17
HTS 31-03-HB-C	2 x 3	2 x 30	2 x 5	50…∞	79 x 38 x 17
HTS 31-13-HB-B-C	2 x 3.9	2 x 130	2 x 0.5	150…∞	79 x 38 x 17
HTS 41-02-HB-LC-C	2 x 4.8	2 x 25	2 x 7	50…∞	79 x 38 x 17
HTS 61-01-HB-C	2 x 6	2 x 15	2 x 22	50…∞	79 x 38 x 17
HTS 61-03-HB-C	2 x 6	2 x 30	2 x 10	70…∞	125 x 38 x 17
HTS 71-13-HB-B-C	2 x 7.8	2 x 130	2 x 1	180…∞	125 x 38 x 17
HTS 91-01-HB-C	2 x 9	2 x 12	2 x 42	50…∞	79 x 38 x 17
HTS 91-02-HB-LC-C	2 x 9.6	2 x 25	2 x 15	70…∞	125 x 38 x 17
HTS 111-13-HB-B-C	2 x 11.7	2 x 130	2 x 1.5	220…∞	158 x 38 x 17
HTS 121-01-HB-C	2 x 12	2 x 15	2 x 44	70…∞	125 x 38 x 17
HTS 181-01-HB-C	2 x 18	2 x 12	2 x 84	70…∞	140 x 38 x 20

Standard-Serie. Vorzugsweise für höhere Schaltfrequenz bei geringer kapazitiver Last.


Schalter Modell	Max. Spannung (kV)	Spitzenstrom (A)	Spitzenleistung (MW)	Auf- Zeit (ns)	Gehäuse Abmessungen (mm3 )	Datenblatt
HTS 21-03-GSM	2 x 2	2 x 30	2 x 3.4	80…∞	89 x 64 x 27
HTS 21-06-GSM	2 x 2	2 x 60	2 x 1.7	80…∞	89 x 64 x 27
HTS 31-01-GSM	2 x 3	2 x 15	2 x 16	80…∞	89 x 64 x 27
HTS 31-03-GSM	2 x 3	2 x 30	2 x 8	80…∞	89 x 64 x 27
HTS 41-03-GSM	2 x 4	2 x 30	2 x 7.2	60…∞	112 x 64 x 27
HTS 41-06-GSM	2 x 4	2 x 60	2 x 3.6	60…∞	112 x 64 x 27
HTS 61-01-GSM	2 x 6	2 x 15	2 x 32	60…∞	112 x 64 x 27
HTS 61-03-GSM	2 x 6	2 x 30	2 x 16	60…∞	112 x 64 x 27
HTS 81-03-GSM	2 x 8	2 x 30	2 x 16	150…∞	163 x 64 x 27
HTS 81-06-GSM	2 x 8	2 x 60	2 x 8	150…∞	163 x 64 x 27
HTS 111-03-GSM	2 x 11	2 x 30	2 x 20.4	150…∞	200 x 70 x 28
HTS 111-06-GSM	2 x 11	2 x 60	2 x 10.2	150…∞	200 x 70 x 28
HTS 151-01-GSM	2 x 15	2 x 15	2 x 72	150…∞	163 x 64 x 27
HTS 151-03-GSM	2 x 15	2 x 30	2 x 36	150…∞	163 x 64 x 27
HTS 161-03-GSM	2 x 16	2 x 30	2 x 32	150…∞	263 x 70 x 35
HTS 161-06-GSM	2 x 16	2 x 60	2 x 16	150…∞	263 x 70 x 35
HTS 201-01-GSM	2 x 20	2 x 15	2 x 96	150…∞	200 x 70 x 28
HTS 201-03-GSM	2 x 20	2 x 30	2 x 48	150…∞	200 x 70 x 28
HTS 301-01-GSM	2 x 30	2 x 15	2 x 144	150…∞	263 x 70 x 35
HTS 301-03-GSM	2 x 30	2 x 30	2 x 72	150…∞	263 x 70 x 35
HTS 651-01-GSM	2 x 65	2 x 15	2 x 288	250…∞	312 x 200 x 70
HTS 651-03-GSM	2 x 65	2 x 30	2 x 144	250…∞	312 x 200 x 70

Power Series, klassischer Silizium-FET. Robust und transientenfest durch LC2-Treibertechnologie. Für hohe kapazitive, ohmsche und induktive Lasten.


Schalter Modell	Max. Spannung (kV)	Spitzenstrom (A)	Spitzenleistung (MW)	Auf- Zeit (ns)	Gehäuse Abmessungen (mm3 )	Datenblatt
HTS 81-10-GSM	2 x 8	2 x 100	2 x 3	150…∞	150 x 100 x 58
HTS 81-20-GSM	2 x 8	2 x 200	2 x 1.5	150…∞	150 x 150 x 58
HTS 121-10-GSM	2 x 12	2 x 100	2 x 5	180…∞	200 x 100 x 68
HTS 121-20-GSM	2 x 12	2 x 200	2 x 2.5	180…∞	200 x 150 x 68
HTS 151-10-GSM	2 x 15	2 x 100	2 x 6	180…∞	200 x 100 x 68
HTS 151-20-GSM	2 x 15	2 x 200	2 x 3	230…∞	200 x 150 x 68
HTS 201-10-GSM	2 x 20	2 x 100	2 x 8	180…∞	225 x 100 x 68
HTS 201-20-GSM	2 x 20	2 x 200	2 x 4	230…∞	225 x 150 x 68
HTS 241-10-GSM	2 x 24	2 x 100	2 x 12	200…∞	250 x 100 x 68
HTS 241-20-GSM	2 x 24	2 x 200	2 x 6	250…∞	250 x 150 x 68
HTS 301-10-GSM	2 x 30	2 x 100	2 x 14	200…∞	300 x 100 x 68
HTS 301-20-GSM	2 x 30	2 x 200	2 x 7	250…∞	300 x 150 x 68
HTS 401-10-GSM	2 x 40	2 x 100	2 x 18	250…∞	372 x 100 x 70
HTS 401-20-GSM	2 x 40	2 x 200	2 x 9	250…∞	372 x 150 x 70
HTS 501-10-GSM	2 x 50	2 x 100	2 x 22	250…∞	432 x 100 x 70
HTS 501-20-GSM	2 x 50	2 x 200	2 x 11	250…∞	432 x 150 x 70
HTS 651-10-GSM	2 x 65	2 x 100	2 x 28	300…∞	372 x 300 x 70
HTS 651-20-GSM	2 x 65	2 x 200	2 x 14	300…∞	372 x 350 x 70
HTS 701-10-GSM	2 x 70	2 x 100	2 x 30	300…∞	375 x 300 x 70
HTS 701-20-GSM	2 x 70	2 x 200	2 x 15	300…∞	375 x 350 x 70
HTS 901-10-GSM	2 x 90	2 x 100	2 x 32	300…∞	432 x 300 x 70
HTS 901-20-GSM	2 x 90	2 x 200	2 x 16	300…∞	432 x 350 x 70
HTS 1201-10-GSM	2 x 120	2 x 100	2 x 42	300…∞	512 x 350 x 70
HTS 1201-20-GSM	2 x 120	2 x 200	2 x 21	300…∞	512 x 350 x 70
HTS 1401-10-GSM	2 x 140	2 x 100	2 x 52	300…∞	672 x 350 x 90
HTS 1401-20-GSM	2 x 140	2 x 200	2 x 26	300…∞	672 x 350 x 90

Power Series, Siliziumkarbid (SiC) FET. Robust und transientenfest durch LC2-Treibertechnologie. Ca. 90% weniger On-Widerstand und ca. 30% weniger Eigenkapazität im Vergleich zu Schaltern mit klassischen MOSFET. Freilaufdioden können in vielen Anwendungen aufgrund der extrem schnellen Intrinsic-Dioden des SiC-FETs entfallen. Für hohe kapazitive, ohmsche und induktive Lasten.


Schalter Modell	Max. Spannung (kV)	Spitzenstrom (A)	Spitzenleistung (MW)	Auf- Zeit (ns)	Gehäuse Abmessungen (mm3 )	Datenblatt
HTS 81-15-SiC-GSM	2 x 8	2 x 150	2 x 0.32	100…∞	150 x 100 x 58
HTS 81-30-SiC-GSM	2 x 8	2 x 300	2 x 0.16	100…∞	150 x 150 x 58
HTS 121-15-SiC-GSM	2 x 12	2 x 150	2 x 0.48	120…∞	200 x 100 x 68
HTS 121-30-SiC-GSM	2 x 12	2 x 300	2 x 0.24	120…∞	200 x 150 x 68
HTS 151-15-SiC-GSM	2 x 15	2 x 150	2 x 0.6	150…∞	200 x 100 x 68
HTS 151-30-SiC-GSM	2 x 15	2 x 300	2 x 0.3	150…∞	200 x 150 x 68
HTS 201-15-SiC-GSM	2 x 20	2 x 150	2 x 0.8	150…∞	225 x 100 x 68
HTS 201-30-SiC-GSM	2 x 20	2 x 300	2 x 0.4	150…∞	225 x 150 x 68
HTS 241-15-SiC-GSM	2 x 24	2 x 150	2 x 1	150…∞	250 x 100 x 68
HTS 241-30-SiC-GSM	2 x 24	2 x 300	2 x 0.5	150…∞	250 x 150 x 68
HTS 301-15-SiC-GSM	2 x 30	2 x 150	2 x 1.2	180…∞	300 x 100 x 68
HTS 301-30-SiC-GSM	2 x 30	2 x 300	2 x 0.6	180…∞	300 x 150 x 68
HTS 401-15-SiC-GSM	2 x 40	2 x 150	2 x 1.6	180…∞	372 x 100 x 70
HTS 401-30-SiC-GSM	2 x 40	2 x 300	2 x 0.8	180…∞	372 x 150 x 70
HTS 501-15-SiC-GSM	2 x 50	2 x 150	2 x 2	200…∞	432 x 100 x 70
HTS 501-30-SiC-GSM	2 x 50	2 x 300	2 x 1	200…∞	432 x 150 x 70
HTS 651-15-SiC-GSM	2 x 65	2 x 150	2 x 2.6	200…∞	372 x 300 x 70
HTS 651-30-SiC-GSM	2 x 65	2 x 300	2 x 1.3	200…∞	372 x 350 x 70
HTS 701-15-SiC-GSM	2 x 70	2 x 150	2 x 2.8	220…∞	375 x 300 x 70
HTS 701-30-SiC-GSM	2 x 70	2 x 300	2 x 1.4	220…∞	375 x 350 x 70
HTS 901-15-SiC-GSM	2 x 90	2 x 150	2 x 3.6	220…∞	432 x 300 x 70
HTS 901-30-SiC-GSM	2 x 90	2 x 300	2 x 1.8	220…∞	432 x 350 x 70
HTS 1201-15-SiC-GSM	2 x 120	2 x 150	2 x 4.8	250…∞	512 x 350 x 70
HTS 1201-30-SiC-GSM	2 x 120	2 x 300	2 x 2.4	250…∞	512 x 350 x 70
HTS 1401-15-SiC-GSM	2 x 140	2 x 150	2 x 5.6	250…∞	672 x 350 x 90
HTS 1401-30-SiC-GSM	2 x 140	2 x 300	2 x 2.8	250…∞	672 x 350 x 90

Optionen


Optionen	Beschreibung
B-CON	Einsteigerfreundliche Konfiguration: Der Standard-Switch ist mit verschiedenen Optionen ausgestattet, die dem Benutzer die ersten Versuche erleichtern

HFB	Hochfrequenz-Burst: Verbesserte Burst-Fähigkeit des Treibers durch externe Pufferkondensatoren. Empfohlen, wenn mehr als 10 Pulse mit weniger als 10 μs Abstand erzeugt werden.
HFS	Hochfrequenzschaltung: Externe Versorgung mit Hilfstreiberspannung (50-350 VDC je nach Typ). Erforderlich, wenn die angegebene "Maximale Betriebsfrequenz" überschritten werden soll. (2)
LP	Tiefpass: Tiefpassfilter am Steuereingang. Die Ausbreitungsverzögerungszeit wird um ~50 ns erhöht. Jitter + 500 ps. Verbesserte Rauschimmunität und weniger kritische Verdrahtung bei Hochgeschwindigkeitsanwendungen. (3)
S-TT	Weiche Übergangszeit: "Turn-On Rise Time" & "Turn-Off Rise Time" um ~20% erhöht. Vereinfachtes EMV-Design und weniger kritische Verdrahtung, wenn die kürzestmögliche Flankensteilheit nicht erforderlich ist. (3)
LNC	Niedrige natürliche Kapazität: CN um ca. 30% reduziert. Zur Minimierung der kapazitiven Leistungsverluste bei Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz und hoher Schaltspannung (Pc= V2 x C x f).
LL	Niedriger Leckstrom: Der Ruhestrom ist auf weniger als 10 % des angegebenen Wertes reduziert. Nicht verfügbar in Verbindung mit den Kühlrippenoptionen und für Schalter der UF-Serie.
LN	Rauscharm: Interner Leistungstreiber, der so modifiziert ist, dass er für eine bestimmte Zeit kein Rauschen erzeugt. Nur in Verbindung mit empfindlichen Detektorverstärkern (z. B. SEV/MCP-Anwendungen) relevant. (2)
ALL-OFF	"Spannungsfreier Impulsausgang im Falle eines Fehlers oder wenn die Sperre "L" ist. Vorgeschlagen in Schaltungen mit positiver und negativer Versorgung. Ein Pull-Down-Widerstand kann erforderlich sein, um die geöffneten Schalter potentialfrei zu halten. "
ISO-25	25 kV Isolierung: Die Isolationsspannung wurde auf 25 kVDC erhöht. Die Gehäuseabmessungen können sich bei einigen Modellen ändern.
ISO-40	40 kV Isolierung: Die Isolationsspannung wurde auf 40 kVDC erhöht. Die Gehäuseabmessungen können sich bei einigen Modellen ändern. Nur in Verbindung mit der Option PT-HV.
ISO-80	80 kV Isolierung: Die Isolationsspannung wurde auf 80 kVDC erhöht. Die Gehäuseabmessungen können sich bei einigen Modellen ändern. Nur in Verbindung mit der Option PT-HV.
ISO-120	120 kV Isolierung: Die Isolationsspannung wurde auf 120 kVDC erhöht. Die Gehäuseabmessungen können sich bei einigen Modellen ändern. Nur in Verbindung mit der Option PT-HV.
ISO-200	200 kV Isolierung: Die Isolationsspannung wurde auf 200 kVDC erhöht. Die Gehäuseabmessungen können sich bei einigen Modellen ändern. Nur in Verbindung mit der Option PT-HV.
I-PC	Integrierte Bauteilkomponenten: Integration von Kleinteilkomponenten nach Kundenspezifikation (z.B. Pufferkondensatoren
PCC	Impulsgeber-Konfiguration. Schalter kombiniert mit kundenspezifischen Bauteilen. Integriert in ein Flanschgehäuse mit Hochspannungsanschlüssen nach Kundenspezifikation. (2)
I-FWD	Integrierte Freilaufdiode: Eingebaute parallele Diode mit kurzer Erholungszeit. Nur in Verbindung mit induktiver Last.
I-FWDN	Integriertes Freilaufdioden-Netzwerk:Integriertes Freilaufdioden-Netzwerk: Eingebaute parallele Diode plus serielle Sperrdiode mit kurzer Erholungszeit. Nur in Verbindung mit induktiver Last.
LS-C	LEMO-Buchse für Steueranschluss. Eingang Z=100Ω. Ein konfektioniertes Verbindungskabel (1m/3ft) mit zwei Steckern und einer Buchse ist im Lieferumfang enthalten. Zur Verbesserung der Rauschimmunität. (3)
PT-C	Pigtail für Steueranschluss: Flexible Leitungen (l=75 mm) mit AMP-modu-Stecker. Gilt nur für Schaltmodule mit Stiften. Vorgeschlagen für Module mit den Optionen CF & GCF.
PT-HV	Pigtails für HV-Anschluss: Flexible Leitungen mit Kabelschuhen. Für erhöhte Kriechfähigkeit. PT-HV ist Standard für alle Typen mit >25 kV Schaltspannung. Nicht für extrem schnelle Stromkreise.
ST-HV	Schraubklemmen für HV-Anschluss: Gewindeeinsätze an der Unterseite des Moduls zur Befestigung der Leiterplatte. Bei Betrieb über 25 kV ist eine Flüssigisolierung (Galden®/Öl) oder ein Verguss erforderlich.
SEP-C	Separate Steuereinheit: Steuereinheit mit LED-Anzeigen in einem separaten Gehäuse (Abmessung 79x38x17 mm). Verbindungskabel (<1m) with plug. Control unit with soldering pins or pigtails.
FOI-I	Glasfasereingang / Sperre: Zusätzlicher optischer Sperreingang zum Ausschalten des Schalters durch Verwendung des Sperreingangs mit einem faseroptischen Signal (nur in Verbindung mit Option SEP-C) (2)
FOI-C	Glasfasereingang / Steuerung: Zusätzlicher optischer Steuereingang zur Ansteuerung des Schalters mit einem faseroptischen Signal (nur in Verbindung mit Option SEP-C) (2)
FOO-F	Faseroptischer Ausgang / Störung: Zusätzlicher optischer Ausgang zum Auslesen des Fehlerzustandes mit einem faseroptischen Signal (nur in Verbindung mit Option SEP-C) (2)
UL94	Flame Retardant Casting Resin:Flame Retardant Casting Resin: Casting resin according to UL-94-VO. Minimum order quantity required. (2)
FH	Flanschgehäuse: Kunststoff-Flanschgehäuse zur isolierten Befestigung an leitenden Oberflächen. Ideal, wenn der Schalter nicht für Leiterplatten vorgesehen ist. Die Option PT-HV wird empfohlen.
TH	Tubular Housing:Tubular Housing: Tubular instead of rectangular housing. Adaption to specific ambient conditions or in case of difficult assembly situations. (2)
FC	Flaches Gehäuse: Höhe von Standard-Kunststoffgehäusen auf 19 mm oder weniger reduziert. Nicht in Kombination mit Kühloptionen CF
ITC	Erhöhte Wärmeleitfähigkeit: Spezielles Gussverfahren zur Erhöhung der Wärmeleitfähigkeit des Moduls. Pd(max) wird um ca. 20-30% erhöht. (2)
CF	Kupfer-Kühlrippen d = 0,5 mm: Lamellenhöhe 35 mm. Vernickelt. Für Luftkühlung mit erzwungener oder natürlicher Konvektion sowie für Flüssigkeitskühlung mit nichtleitenden Kühlmitteln.
CF-1	Kupfer-Kühlrippen d = 1 mm: Lamellendicke 1,0 mm anstelle von 0,5 mm. Die max. Verlustleistung Pd(max) wird um ~80 % erhöht. Für Luft- oder Flüssigkeitskühlung (z. B. Galden® oder Öl).
CF-X2	"Kupfer-Kühlrippen "XL"": Um den Faktor 2 vergrößerte Lamellenfläche. Empfohlen für natürliche Luftkonvektion. Keine wesentliche Verbesserung der Kühlleistung in Verbindung mit forcierter Luft- oder Flüssigkeitskühlung."
CF-X3	"Kupfer-Kühlrippen "XXL"": Um den Faktor 3 vergrößerte Lamellenfläche. Empfohlen für natürliche Luftkonvektion. Keine wesentliche Verbesserung der Kühlleistung in Verbindung mit forcierter Luft- oder Flüssigkeitskühlung."
CF-CS	Kühlrippen aus Kupfer mit kundenspezifischer Form: Individuelle Form zur Erfüllung spezifischer OEM-Anforderungen. (2) Kann mit den Optionen CF-1 kombiniert werden
CF-LC	Kühlrippen aus Kupfer für die Flüssigkeitskühlung: Doppelte Lamellen
CF-D	Doppelte Kühlrippen aus Kupfer: Ca. 100% mehr Kühlleistung
CF-S	Kühlrippen aus Kupfer: Halbleiter auf Lamellen gelötet. Ca. 30% bis 100% mehr Kühlleistung (je nach Typ). Kombinierbar mit den Optionen CF-D
CF-GRA	Nicht isolierte Kühllamellen aus Graphit: Sehr geringes Gewicht im Vergleich zu Kupfer bei ähnlicher Wärmeübertragung
CF-CER	Isolierte Kühlrippen aus Keramik: Wärmeübertragungseigenschaften ähnlich wie bei Aluminiumoxid. Zwangskonvektion empfohlen durch 2 mm Abstand zwischen den Lamellen. Höhe 35 mm.
CCS	Keramische Kühlfläche: Die Oberseite des Schaltmoduls besteht aus Keramik. Wärmeübertragungseigenschaften ähnlich wie Tonerde. Max. 20 kVDC Isolierung. Erzwungene Konvektion empfohlen.
CCF	Keramik-Kühlflansch: Die Unterseite des Schaltmoduls besteht aus einer plan geschliffenen Keramikplatte. Integrierter Metallrahmen für gleichmäßigen und sicheren Anpressdruck. Max. 40 kVDC Isolierung.
C-DR	Kühlung für den Fahrer:Kühlung für den Fahrer: Zusätzliche Kühlung für den Treiber und die Steuerelektronik. Empfohlen in Kombination mit der Option HFS bei höheren Schaltfrequenzen. (2)
GCF	Geerdeter Kühlungsflansch:Geerdeter Kühlungsflansch: Vernickelter Kupferflansch für mittlere Leistungen. Max. Isolationsspannung 40kV. Erhöhte Kopplungskapazität CC.
GCF-X2	Geerdeter Kühlungsflansch
ILC	Indirekte Flüssigkeitskühlung: Flüssigkeitskühlung für alle Arten von leitfähigen Kühlmitteln einschließlich Wasser. Interner Wärmetauscher aus Keramik. Für mittlere Verlustleistung.
DLC	Direkte Flüssigkeitskühlung: Interne Kühlkanäle um die Leistungshalbleiter herum. Die effizienteste Kühlung für Hochfrequenzanwendungen. Nur nicht-leitende Kühlmittel.
HI-REL	Hohe Zuverlässigkeit / MIL-Versionen:Hohe Zuverlässigkeit / MIL-Versionen: Auf Anfrage erhältlich. (2)

[1]	Neuer Optionscode: Datenblätter können von diesem Kodierungssystem abweichen (insbesondere ältere) und geben nicht alle möglichen Optionen gemäß obiger Tabelle an.
[2]	Für detaillierte Informationen wenden Sie sich bitte an das Werk.
[3]	Diese Optionen sind EMV-relevant und werden für industrielle Stromanwendungen empfohlen

HV-Schalter, variable Einschaltdauer, Gegentakt, MOSFET

Kompakte Serie. Geringe Eigeninduktivität und sehr kurze Übergangszeiten. Gute Transienten-Immunität.

Standard-Serie. Vorzugsweise für höhere Schaltfrequenz bei geringer kapazitiver Last.

Power Series, klassischer Silizium-FET. Robust und transientenfest durch LC2-Treibertechnologie. Für hohe kapazitive, ohmsche und induktive Lasten.

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